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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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IS62WV25616DALL-55TL
IS62WV25616DALL-55TL
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥12.50125

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合计: ¥12.50125

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IS62WV25616DALL-55TL-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥586.99359

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IS62WV25616DALL-55TI
IS62WV25616DALL-55TI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥19.43994

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合计: ¥19.43994

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IS62WV25616DALL-55TLI
IS62WV25616DALL-55TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥29.58000

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合计: ¥29.58000

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IS62WV25616DALL-55TLI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥72.47246

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IS62WV25616DALL-55BI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥55.00258

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IS62WV25616DALL-55BLI
IS62WV25616DALL-55BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥28.07348

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IS62WV25616DALL-55BLI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥492.48823

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合计: ¥492.48823

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IS62WV25616DBLL-45TI
IS62WV25616DBLL-45TI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥78.00603

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合计: ¥78.00603

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IS62WV25616DBLL-45TI-TR
IS62WV25616DBLL-45TI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥103.67487

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IS62WV25616DBLL-45BI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥10.27043

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IS62WV25616DBLL-45BI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥19.55583

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合计: ¥19.55583

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IS62WV25616DBLL-55TLI
IS62WV25616DBLL-55TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥37.54719

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IS62WV25616DBLL-55TLI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥103.73281

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IS65WV25616DBLL-45CTLA1
IS65WV25616DBLL-45CTLA1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥32.01362

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IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥71.19771

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IS65WV25616DBLL-55CTLA3
IS65WV25616DBLL-55CTLA3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥35.85236

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IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR
IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥126.50449

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合计: ¥126.50449

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IS62WV5128DALL-55TLI
IS62WV5128DALL-55TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥107.80332

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IS62WV5128DALL-55TLI-TR
IS62WV5128DALL-55TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥10.53118

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