品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥30.02906 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.02906 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥43.81955 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.81955 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥541.37780 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥541.37780 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥143.32251 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥143.32251 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥834.80217 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥834.80217 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥14.26851 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.26851 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥37.34439 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.34439 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥235.19145 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥235.19145 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥879.27357 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥879.27357 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥24.53895 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.53895 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥27.98657 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.98657 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥50.71479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.71479 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥133.61702 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥133.61702 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥462.66197 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥462.66197 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥48.45500 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.45500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥47.45548 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.45548 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥2.11493 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.11493 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥53.95961 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.95961 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥39.31446 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.31446 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥21.35207 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.35207 | 添加到BOM 立即询价 |