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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SIHA120N60E-GE3
SIHA120N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥39.83595

9

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合计: ¥39.83595

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SIHG17N80E-GE3
SIHG17N80E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.06724

0

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合计: ¥41.06724

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IRFU9220PBF
IRFU9220PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: TO-251AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.38296

0

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合计: ¥17.38296

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SIHP24N65E-E3
SIHP24N65E-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥43.31254

0

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合计: ¥43.31254

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IRFP31N50LPBF
IRFP31N50LPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 460W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥58.08806

0

5-7 工作日

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合计: ¥58.08806

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SIHP24N65E-GE3
SIHP24N65E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥43.31254

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.31254

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SIHP30N60E-GE3
SIHP30N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥45.41298

0

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合计: ¥45.41298

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SIHG47N60AE-GE3
SIHG47N60AE-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 43A (Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥59.10206

0

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合计: ¥59.10206

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SIHG24N65EF-GE3
SIHG24N65EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥47.51342

0

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合计: ¥47.51342

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IRFP22N60KPBF
IRFP22N60KPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 370W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥61.63708

0

5-7 工作日

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合计: ¥61.63708

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IRFPC50PBF
IRFPC50PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 180W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥48.52743

0

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合计: ¥48.52743

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SIHB35N60EF-GE3
SIHB35N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥48.96200

1

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合计: ¥48.96200

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SQM35N30-97_GE3
SQM35N30-97_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.11646

0

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合计: ¥29.11646

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IRFBF20PBF
IRFBF20PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.25211

0

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合计: ¥18.25211

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SIHP38N60E-GE3
SIHP38N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 43A (Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥50.19330

21

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合计: ¥50.19330

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SUP85N10-10-E3
SUP85N10-10-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 250W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥50.26573

0

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合计: ¥50.26573

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SIHG35N60E-GE3
SIHG35N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥50.55544

0

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合计: ¥50.55544

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SIHW33N60E-GE3
SIHW33N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥50.70030

0

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合计: ¥50.70030

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SIHG73N60E-GE3
SIHG73N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 73A (Tc) 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥96.04085

0

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合计: ¥96.04085

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SIHG35N60EF-GE3
SIHG35N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥51.85916

0

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合计: ¥51.85916

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