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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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SIS454DN-T1-GE3
SIS454DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

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SI2369BDS-T1-GE3
SI2369BDS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) 最大功耗: 1.3W(Ta)、2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.05602

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SI7309DN-T1-E3
SI7309DN-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta),19.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

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合计: ¥7.89476

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SI3483CDV-T1-E3
SI3483CDV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),4.2W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TA)

¥7.60505

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SIJ438ADP-T1-GE3
SIJ438ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45.3A (Ta), 169A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 69.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.45779

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SQJA96EP-T1_GE3
SQJA96EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.03962

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SISS63DN-T1-GE3
SISS63DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 65.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

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SI4455DY-T1-GE3
SI4455DY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 5.9W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.45779

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SIRA32DP-T1-RE3
SIRA32DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.03962

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SI7431DP-T1-GE3
SI7431DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.07204

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SUD08P06-155L-BE3
SUD08P06-155L-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta),20.8W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

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SIRA18ADP-T1-GE3
SIRA18ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30.6A (Tc) 最大功耗: 14.7W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.25931

1

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SIR186LDP-T1-RE3
SIR186LDP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23.8A(Ta),80.3A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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SQD40031EL_GE3
SQD40031EL_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.45779

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SI8410DB-T2-E1
SI8410DB-T2-E1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 供应商设备包装: 4-Micro Foot (1x1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.11205

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SQD40061EL_GE3
SQD40061EL_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

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SQJ474EP-T1_GE3
SQJ474EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.46019

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SQD19P06-60L_T4GE3
SQD19P06-60L_T4GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 46W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.45779

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SQD50034E_GE3
SQD50034E_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.45779

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SQD10N30-330H_GE3
SQD10N30-330H_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

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