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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SQS401EN-T1_BE3
SQS401EN-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SIR416DP-T1-GE3
SIR416DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 69W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.28492

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IRFL9014TRPBF
IRFL9014TRPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.1W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SISHA12ADN-T1-GE3
SISHA12ADN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta)、25A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.51861

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SQR40020ER_GE3
SQR40020ER_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: TO-252 (DPAK) Reverse Lead 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.97880

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SIA413DJ-T1-GE3
SIA413DJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.58144

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SI3429EDV-T1-GE3
SI3429EDV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 8A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.54902

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SIA456DJ-T1-GE3
SIA456DJ-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SISS70DN-T1-GE3
SISS70DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 125伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 31A (Tc) 最大功耗: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.28492

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SIA469DJ-T1-GE3
SIA469DJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 15.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6单 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.54902

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SQJ886EP-T1_GE3
SQJ886EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.87836

3

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SI4463CDY-T1-GE3
SI4463CDY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.6A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SI3440ADV-T1-GE3
SI3440ADV-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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SI8806DB-T2-E1
SI8806DB-T2-E1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

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SI6415DQ-T1-E3
SI6415DQ-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.12366

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SI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.06A(Ta) 最大功耗: 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.54902

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SI7326DN-T1-E3
SI7326DN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

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SI3460BDV-T1-GE3
SI3460BDV-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.5W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

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SIA477EDJT-T1-GE3
SIA477EDJT-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 19W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6单 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.62145

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