9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ886EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ886EP-T1_GE3价格参考1.64000美元。Vishay Siliconix SQJ886EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8。您可以下载SQJ886EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ848EP-T1-GE3是MOSFET 40V 30A 68W N-Ch Automotive，包括SQ系列系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SQJ848EP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及TrenchFET商标，该设备也可以用作SO-8封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为68 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极电阻为9mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为15nC。
SQJ844EPT1-GE3，带有VISAHY制造的用户指南。SQJ844EPT1-GE3采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
SQJ844EP-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQJ844EP-T1-GE3采用SO-8L封装，是IC芯片的一部分。
SQJ848EPT1-GE3，带有VISAHY制造的EDA/CAD模型。SQJ848EPT1-GE3采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
