MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
SQJ260EP-T1_GE3
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc）、54A（Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.22649 | 11.22649 |
| 10+ | 10.06763 | 100.67631 |
| 100+ | 7.84840 | 784.84060 |
| 500+ | 6.48341 | 3241.70500 |
| 1000+ | 5.11855 | 5118.55700 |
| 3000+ | 5.11848 | 15355.45500 |
- 库存: 300
- 单价: ¥11.22650
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.23
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 包装/外壳 PowerPAKSO-8双
- 漏源电压标 (Vdss) 60V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Tc）、54A（Tc
- 导通电阻 Rds(ON) 19毫欧姆@6A，10V，8.5毫欧姆@10A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25伏时1100华氏度，25伏时2500华氏度
- 最大功率 27W（Tc）、48W（Tc）
- 供应商设备包装 PowerPAKSO-8双不对称
SQJ260EP-T1_GE3 产品详情
Vishay SQJ200和SQJ202双N通道汽车MOSFET是AEC-Q101认证的汽车MOSFET，适用于汽车应用。这些双N沟道MOSFET是TrenchFET功率MOSFET系列的一部分。MOSFET封装在SO-8L封装类型中。SQJ200具有20VDS的漏极-源极电压，而SQJ202具有12VDS的源极-漏极电压。两者的栅极-源极电压均为�20
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SQJ260EP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc）、54A（Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.2265 |
 | SQJ914EP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.92277 |
 | SQJ951EP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.2405 |
 | SQJB42EP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.92277 |
 | SQJB68EP-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C | ¥6.7359 |
 | SQJB48EP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | ¥12.02321 |
 | SQJB46ELP-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M | ¥9.19848 |
 | SQJB04ELP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M | ¥7.38776 |
 | SQJ992EP-T2_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | ¥7.31533 |
 | SQJB60EP-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | ¥9.92277 |
SQJ260EP-T1_GE3所属分类：场效应晶体管阵列，SQJ260EP-T1_GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQJ260EP-T1_GE3价格参考￥11.226495，你可以下载 SQJ260EP-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQJ260EP-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
