9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ951EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ951EP-T1_GE3价格参考1.69000美元。Vishay Siliconix SQJ951EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK。您可以下载SQJ951EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ942EP-T1-GE3是MOSFET 40V 15A N-Ch Automotive，其中包括SQ系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET等商标功能，封装盒设计用于SO-8L-4以及Si技术，该设备也可以用作2通道数量的通道。此外，该配置是双重的，该器件提供2 N沟道晶体管类型，该器件具有17 W 48 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns 16 ns，上升时间为25 ns 31 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为15 A 45 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8 V，Rds导通漏极-漏极电阻为11 mOhms 22 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为29 ns 52 ns，典型接通延迟时间为33 ns 40 ns，Qg栅极电荷为13.1 nC 22.5 nC。
带用户指南的SQJ942EP-T1_GE3，包括1.8 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供典型的开启延迟时间功能，如33 ns 40 ns，典型的关闭延迟时间设计为29 ns 52 ns，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件为SQ系列，该器件的上升时间为25 ns 31 ns，漏极-源极电阻Rds为11 mOhms 22 mOhms，Qg栅极电荷为13.1 nC 22.5 nC，Pd功耗为17 W 48 W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8L-4，安装类型为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为15 A 45 A，下降时间为12 ns 16 ns，配置为双重。
带有电路图的SQJ951EP-T1_GE3，包括30A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在50nC@10V下工作以及1680pF@10V输入电容Cis Vds，该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），设备具有PowerPAKR SO-8双封装外壳，封装为磁带和卷轴（TR），最大功率为56W，最大Id Vgs的Rds为17mOhm@7.5A，10V，系列为汽车、AEC-Q101、TrenchFETR，供应商设备封装为PowerPAKR SO-8双封装，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为2P沟道，Vgs th Max Id为2.5V@250μA。
SQJ941EP-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供封装外壳功能，如PowerPAKR SO-8 Dual，供应商设备包设计用于PowerPAKR SO-8 Dual以及逻辑电平门FET功能，该装置也可用作8A电流连续排放Id 25°C。此外，最大功率为55W，器件提供55nC@110V栅极电荷Qg-Vgs，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），漏极到源极电压Vdss为30V，最大Id Vgs的Rds为24mOhm@9A、10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，FET类型为2 P通道（双），输入电容Cis-Vds为1800pF@10V。
