9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA469DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA469DJ-T1-GE3参考价格为0.49000美元。Vishay Siliconix SIA469DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA469DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA456DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA456DJ-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为19W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为200V，输入电容Ciss Vds为350pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.6A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1.38 Ohm@750mA，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14.5nC@10V，Pd功耗为3.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为20 ns 12 ns，上升时间为25 ns 20 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为200 V，Vgs栅-源极阈值电压为1.4 V，Rds漏极源极电阻为1.38欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns 16ns，典型接通延迟时间为10ns 5ns，Qg栅极电荷为9.5nC，信道模式为增强。
SIA453EDJ-T1-GE3是MOSFET-30V.0185ohm@-10V-24A P-Ch T-FET，包括-1.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在12 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchFET，该器件采用Si技术，器件的上升时间为45纳秒，漏极-源极电阻Rds为29毫欧姆，Qg栅极电荷为44 nC，Pd功耗为19 W，封装为卷轴式，封装盒为PowerPAK-SC-70-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-50℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-24 A，正向跨导最小值为22 S，下降时间为28 ns，配置为单一。
SIA4528-330K，带有DELTA制造的电路图。SIA4528-330K采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
