9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA921EDJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA921EDJ-T1-GE3参考价格0.66000美元。Vishay Siliconix SIA921EDJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA921EDJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA920DJ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表中显示了用于SIA920DJ-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为7.8W，晶体管类型为2 N-通道，漏极-源极电压Vdss为8V，输入电容Cis-Vds为470pF@4V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为27mOhm@5.3A、4.5V，Vgs最大Id为700mV@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为7.5nC@4.5V，Pd功耗为7.8W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vgs栅极-源极电压为5 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为8 V，Rds漏极源极电阻为22 mΩ，晶体管极性为N沟道。
SIA917DJ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SC-70-6双供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如110 mOhm@2.5A，4.5V，Power Max设计为6.5W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有250pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为9nC@10V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
SIA921EDJ-T1/GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIA921EDJ-T1/GE3采用QFN封装，是FET阵列的一部分。
