9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA527DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA527DJ-T1-GE3参考价格为0.58000美元。Vishay Siliconix SIA527DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6。您可以下载SIA527DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA519EDJ-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA519EDJ GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SC-70-6双封装外壳中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商设备包为PowerPAKR SC-70-6 Dual，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为7.8W，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为350pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为40mOhm@4.2A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V、Pd功耗为7.8W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为33 mOhms 74 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，Qg栅极电荷为7.7 nC 10.5 nC，正向跨导Min为7S 12S。
SIA513DJ-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SC-70-6双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如60 mOhm@3.4A，4.5V，Power Max设计为6.5W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有360pF@10V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
SIA517DJ-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIA517DJ-T1-GE3采用DFN封装，是IC芯片、Mosfet阵列N和P通道12V 4.5A 6.5W表面贴装PowerPAK的一部分？SC-70-6双，Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A/4.3A 6引脚PowerPAK SC-70 T/R，MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm@4.5V。
