9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA928DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA928DJ-T1-GE3参考价格为0.50000美元。Vishay Siliconix SIA928DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6。您可以下载SIA928DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA915DJ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表中显示了用于SIA915DJ-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6双通道，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为6.5W，晶体管类型为2 P通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为275pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为87 mOhm@2.9A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@10V，Pd功耗为6.5W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为87 mΩ，晶体管极性为P沟道。
SIA917DJ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SC-70-6双供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如110 mOhm@2.5A，4.5V，Power Max设计为6.5W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有250pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为9nC@10V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
SIA914DJ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6，包括4.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在11.5nC@8V下工作，除了400pF@10V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，该器件具有Digi-ReelR封装，功率最大值为6.5W，Rds On Max Id Vgs为53 mOhm@3.7A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为PowerPAKR SC-70-6 Dual，Vgs th Max Id为1V@250μA。
