9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA907EDJT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA907EDJT-T1-GE3参考价格为0.58000美元。Vishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L。您可以下载SIA907EDJT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA906EDJ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA906EDJ GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SC-70-6双封装外壳中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为7.8W，晶体管类型为2 N-通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为350pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为46 mOhm@3.9A、4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V、Pd功耗为1.9 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为46 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns 15ns，典型接通延迟时间为10ns 5ns，信道模式为增强。
SIA906EDJ-T4-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SIA906EDJ-T4-GE3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
SIA907EDJT是Vishay制造的MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L。SIA907EDJT采用PowerPAK®SC-70-6双封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L。
