9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA911ADJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA911ADJ-T1-GE3参考价格为0.20460美元。Vishay Siliconix SIA911ADJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA911ADJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA907EDJT-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于SIA907EDJ-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6双通道，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为7.8W，晶体管类型为2 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs上的Rds为57 mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，Pd功耗为7.8W，下降时间为10ns，上升时间为10s，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为-4.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为57mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为15nC，正向跨导最小值为11S。
SIA910EDJ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于12 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供晶体管类型功能，如2 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该设备也可以用作PowerPAKR SC-70-6双供应商设备包。此外，该系列是TrenchFETR，该器件提供28mOhm@5.2A、4.5V Rds On Max Id Vgs，该器件具有23mOhm Rds On Drain Source电阻，Qg栅极电荷为10.5nC，功率最大值为7.8W，Pd功耗为7.8W；部件别名为SIA910EDJ-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR SC-70-6 Dual，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为455pF@6V，Id连续漏电流为4.5 A，栅极电荷Qg Vgs为16nC@8V，正向跨导最小值为23S，FET类型为2N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，配置为双。
SIA907EDJT是Vishay制造的MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L。SIA907EDJT采用PowerPAK®SC-70-6双封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L。
