9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA533EDJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA533EDJ-T1-GE3参考价格为0.65000美元。Vishay Siliconix SIA533EDJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA533EDJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA527DJ-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR SC-70-6双包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商设备包为PowerPAKR SC-70-6 Dual，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为7.8W，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为500pF@6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为29mOhm@5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@8V，Pd功耗为7.8W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，Vgs第h栅极-源极端电压为1 V-1 V，Rds导通漏极-源极电阻为41mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为5.6nC，沟道模式为增强。
SIA519EDJ-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道1 P通道，晶体管极性设计为在N通道P通道中工作，该器件也可以用作PowerPAKR SC-70-6双供应商器件封装。此外，该系列是TrenchFETR，该器件提供40 mOhm@4.2A，4.5V Rds On Max Id Vgs，该器件具有33 mOhm 74 mOhm Rds On Drain Source电阻，Qg栅极电荷为7.7 nC 10.5 nC，最大功率为7.8W，Pd功耗为7.8 W，部件别名为SIA519EDJ-GE3，封装为Digi-ReelR Alternative Packaging，封装外壳为PowerPAKR SC-70-6 Dual，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为350pF@10V，Id连续漏极电流为4.5 A，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，正向跨导最小值为7 S 12 S，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，配置为1 N沟道1 P沟道。
SIA517DJ-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIA517DJ-T1-GE3采用DFN封装，是IC芯片、Mosfet阵列N和P通道12V 4.5A 6.5W表面贴装PowerPAK的一部分？SC-70-6双，Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A/4.3A 6引脚PowerPAK SC-70 T/R，MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm@4.5V。
