9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA923AEDJ T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA923AEDJ T1-GE3参考价格为0.68000美元。Vishay Siliconix SIA923AEDJ T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L。您可以下载SIA923AEDJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIA923AEDJ-T1-GE3带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR SC-70-6双包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6双通道，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为7.8W，晶体管类型为2 P通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为770pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为54mOhm@3.8A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@8V，Pd功耗为7.8W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs第h栅极-源极端电压为-0.9 V，Rds导通漏极-源极电阻为97mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为16.3nC，正向跨导最小值为11S，沟道模式为增强。
SIA922EDJ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于12 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如30 V，典型的开启延迟时间设计为20 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有PowerPAKR SC-70-6双电源器件封装，系列为TrenchFETR，上升时间为60ns，Rds On Max Id Vgs为64mOhm@3A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为64m欧姆，Qg栅极电荷为12nC，功率最大值为7.8W，Pd功耗为1.9W，零件别名为SI1972DH-T1-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SC-70-6 Dual，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为4.5 A，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，正向跨导最小值为13 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为45 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，并且配置是双重的，并且信道模式是增强的。
带有电路图的SIA921EDJ-T4-GE3，包括4.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在23nC@10V下工作以及表面安装安装型，该设备也可作为2信道数信道使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，该设备具有打包带和卷盘（TR），最大功率为7.8W，Rds On Max Id Vgs为59mOhm@3.6A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为PowerPAKR SC 70-6双，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为2 P沟道。Vgs最大Id为1.4V@250μA。
