9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA456DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA456DJ-T1-GE3参考价格为0.98000美元。Vishay Siliconix SIA456DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70。您可以下载SIA456DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA453EDJ-T1-GE3是MOSFET-30V.0185ohm@-10V-24A P-Ch T-FET，包括卷轴封装，设计用于SMD/SMT安装样式，产品名称显示在数据表注释中，用于TrenchFET，提供封装外壳功能，如PowerPAK-SC-70-6，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供19 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为28 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为-24 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.4 V，Rds导通漏极-漏极电阻为29 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为65 ns，典型接通延迟时间为25 ns，Qg栅极电荷为44 nC，正向跨导最小值为22 S。
SIA4528-100K，带有DELTA制造的用户指南。SIA4528-100K采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
SIA4528-330K，带有DELTA制造的电路图。SIA4528-330K采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
