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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SI7806ADN-T1-E3
SI7806ADN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.00921

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合计: ¥11.00921

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SIB457EDK-T1-GE3
SIB457EDK-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、13W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.20088

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合计: ¥4.20088

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SI7386DP-T1-E3
SI7386DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.31293

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合计: ¥12.31293

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SQJA00EP-T1_GE3
SQJA00EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.46019

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合计: ¥7.46019

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SI2367DS-T1-GE3
SI2367DS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Tc) 最大功耗: 960mW(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.11445

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SI4477DY-T1-GE3
SI4477DY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26.6A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 6.6W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.00921

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合计: ¥11.00921

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SQS482ENW-T1_GE3
SQS482ENW-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.02561

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IRFR220TRLPBF
IRFR220TRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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2N7002-T1-GE3
2N7002-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: TO-236 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.11445

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SI4436DY-T1-GE3
SI4436DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SQJ457EP-T1_GE3
SQJ457EP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.46019

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SI4825DDY-T1-GE3
SI4825DDY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.9A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SISH129DN-T1-GE3
SISH129DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.4A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SI9435BDY-T1-GE3
SI9435BDY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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6

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SIR122DP-T1-RE3
SIR122DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.7A(Ta),59.6A(Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.46019

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SIJ462ADP-T1-GE3
SIJ462ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.8A(Ta),39.3A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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SUD23N06-31L-T4-E3
SUD23N06-31L-T4-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.46019

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SI3417DV-T1-GE3
SI3417DV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta),4.2W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.18688

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SISH402DN-T1-GE3
SISH402DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.38776

2

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SI7129DN-T1-GE3
SI7129DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

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