SUD23N06-31L-T4-E3

Name: SUD23N06-31L-T4-E3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7140255-SUD23N06-31L-T4-E3
Price: 7.460187 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Tc）最大功耗: 3W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
供应商设备包装 TO-252AA
漏源电流 (Id) @ 温度 23A（Tc）
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 670 pF @ 25 V
最大功耗 3W (Ta), 100W (Tc)
导通电阻 Rds(ON) 31毫欧姆 @ 15A, 10V
材质 -

SUD23N06-31L-T4-E3 产品详情

9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD23N06-31L-T4-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD23N06-31L-T4-E3参考价格为1.03000美元。Vishay Siliconix SUD23N06-31L-T4-E3封装/规格：MOSFET N-CH 60V TO252。您可以下载SUD23N06-31L-T4-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。

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SUD23N06-31L-E3是MOSFET N-CH 60V TO252，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252（D-Pak），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为100W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为670pF@25V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为31mOhm@15A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@10V，Pd功耗为5.7W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为25纳秒，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds导通-漏极电阻为31毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30纳秒，并且典型的开启延迟时间是8ns，并且信道模式是增强。

SUD23N06-31L是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3引脚（2+Tab）DPAK。SUD23N06-31L采用TO-252-3封装，是FET的一部分-单个，支持Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3引脚（2+Tab）DPAK。

带有电路图的SUD23N06-31L-T1-E3 SUD23M06-31L-T3-E3采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。

SUD23N06-31L-T4-E3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
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SUD40N10-25-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥23.61185
SUD19N20-90-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc）最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥23.24971
SUD09P10-195-BE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta），32.1W（Tc）供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.59104
SUD15N15-95-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 150伏漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc）最大功耗: 2.7W（Ta）、62W（Tc）供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥16.65867
SUD50N04-8M8P-4GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、50A（Tc）最大功耗: 3.1W（Ta），48.1W（Tc）供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.77792
SUD40N08-16-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥23.10485
SUD19P06-60L-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc）最大功耗: 2.7W（Ta）、46W（Tc）供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥9.9952
SUD50P06-15-VB		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,50A	¥6.17956
SUD50P06-15			¥10.98024

SUD23N06-31L-T4-E3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SUD23N06-31L-T4-E3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SUD23N06-31L-T4-E3价格参考￥7.460187，你可以下载 SUD23N06-31L-T4-E3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SUD23N06-31L-T4-E3规格参数、现货库存、封装信息等信息！