9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD19P06-60L-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD19P06-60L-E3参考价格1.38000美元。Vishay Siliconix SUD19P06-60L-E3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 19A TO252。您可以下载SUD19P06-60L-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUD19P06-60-GE3是MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有TO-252，（D-Pak）供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.3W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1710pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为18.3A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为60 mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为2.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为9ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为18.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型导通延迟时间为8ns，沟道模式为增强型。
SUD19P06-60-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252。SUD19P06-60-E3可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252、P通道60V 18.3 A（Tc）2.3W（Ta）、38.5W（Tc）表面安装TO-252、（D-Pak）、Trans MOSFET P-CH60V 18.3B 3引脚（2+Tab）DPak。
SUD19P06-60L，带有SI制造的电路图。SUD19P01-60L采用TO252封装，是FET的一部分-单个。
