SUD50P06-15-VB
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,50A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.17955 | 6.17955 |
| 10+ | 5.16013 | 51.60139 |
| 30+ | 4.64517 | 139.35528 |
| 100+ | 4.13021 | 413.02130 |
| 500+ | 3.31047 | 1655.23800 |
| 1000+ | 3.16334 | 3163.34400 |
- 库存: 5011
- 单价: ¥6.17956
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.18
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 50A
- 功率(Pd) -
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@10V,50A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) -
- 栅极电荷(Qg@Vgs) -
- 输入电容(Ciss@Vds) -
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
SUD50P06-15-VB 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SUD19P06-60-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.3A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta），38.5W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.10576 |
 | SUD40N10-25-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.61185 |
 | SUD19N20-90-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc） 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.24971 |
 | SUD09P10-195-BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta），32.1W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 |
 | SUD15N15-95-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Ta）、62W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.65867 |
 | SUD50N04-8M8P-4GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、50A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta），48.1W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.77792 |
 | SUD40N08-16-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.10485 |
 | SUD19P06-60L-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Ta）、46W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.9952 |
| SUD50P06-15-VB | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,50A | ¥6.17956 | |
| SUD50P06-15 | ¥10.98024 |
SUD50P06-15-VB所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SUD50P06-15-VB 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。SUD50P06-15-VB价格参考￥6.179555，你可以下载 SUD50P06-15-VB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SUD50P06-15-VB规格参数、现货库存、封装信息等信息！