9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD19P06-60-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD19P06-60-GE3参考价格为1.23000美元。Vishay Siliconix SUD19P06-60-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252。您可以下载SUD19P06-60-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUD19N20-90-T4-E3是MOSFET N-CH 200V 19A TO252，包括卷轴封装，它们设计用于SUD19N2 0-90-T4零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为3 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为19A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-电源电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
SUD19P06-60和Vishay制造的用户指南。SUD19P06-60在DPAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
SUD19P06-60-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252。SUD19P06-60-E3可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252、P通道60V 18.3 A（Tc）2.3W（Ta）、38.5W（Tc）表面安装TO-252、（D-Pak）、Trans MOSFET P-CH60V 18.3B 3引脚（2+Tab）DPak。
