9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N7002-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。2N7002-T1-GE3参考价格为0.43000美元。Vishay Siliconix 2N7002-T1-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 60V 115MA TO236。您可以下载2N7002-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N7002-T1-E3是MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23,包括2N7002系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,零件别名如数据表注释所示,用于2N7002-E3,提供单位重量功能,如0.050717盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱,该器件也可作为硅技术使用,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件具有1个通道数,供应商器件封装为TO-236,配置为单一,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为200mW,晶体管类型为1个N通道,漏极-源极电压Vdss为60V,输入电容Cis-Vds为50pF@25V,FET特性为逻辑电平门,25°C的电流连续漏极Id为115mA(Ta),最大Id Vgs的Rds为7.5 Ohm@500mA,10V,Vgs最大Id为2.5V@250μA,Pd功耗为200mW,其最大工作温度范围为+150 C,它的最小工作温度范围为-55℃,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为115 mA,Vds漏极-源极击穿电压为60 V,Rds漏极源极电阻为7.5欧姆,晶体管极性为N沟道,沟道模式为增强型。
2N7002-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3引脚SOT-23 T/R。2N7002-T1在SOT23封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3引脚SOT-23 T/R。
2N7002T1G,带有ON制造的电路图。2N7002T1G以SOT-23封装形式提供,是FET的一部分-单个。