2N7002T-MS
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW
- 品牌: 美森科 (MSKSEMI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.16258 | 0.16258 |
| 10+ | 0.12947 | 1.29474 |
| 30+ | 0.11108 | 3.33252 |
| 150+ | 0.09563 | 14.34525 |
| 450+ | 0.08607 | 38.73375 |
| 1050+ | 0.08092 | 84.97125 |
- 库存: 56820
- 单价: ¥0.16258
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数量:
- +
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 115mA
- 功率(Pd) 150mW
2N7002T-MS 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N7000RLRP | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN 60V 200MA TO-92 | ¥0.28972 |
 | 2N7002CK,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 | ¥0.14486 |
 | 2N7002BKV,115 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | ¥0.36215 |
 | 2N7002E,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23 | ¥0.28972 |
 | 2N7002KQBZ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 |
 | 2N7002K 72K | 江苏长电/长晶 (CJ) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA | ¥0.18708 |
| 2N7002（丝印12W） | 时科 (SHIKUES) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA | ¥0.09601 |
| 2N7002-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A | ¥0.1106 |
 | 2N7002KD | 富芯森美 (FUXINSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA | ¥0.21651 |
| 2N7002T-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW | ¥0.16258 |
2N7002T-MS所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N7002T-MS 由 美森科 (MSKSEMI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7002T-MS价格参考￥0.162581，你可以下载 2N7002T-MS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7002T-MS规格参数、现货库存、封装信息等信息！
美森科 (MSKSEMI)
MSKSEMI(美森科半導體)始創于中國臺灣，是知名半導體分立元器件廠商之一，總部座落于美麗的中國-寶島臺灣新竹市從事于ESD防靜電保護管，TVS管，MOS場效應管，二三極管貼片半導體器件的研發設計及生...
