2N7002-HXY
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A
- 品牌: 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.11059 | 0.11059 |
| 10+ | 0.08960 | 0.89609 |
| 60+ | 0.06717 | 4.03026 |
| 120+ | 0.06017 | 7.22088 |
| 480+ | 0.05411 | 25.97376 |
| 1020+ | 0.05084 | 51.86190 |
- 库存: 198300
- 单价: ¥0.11060
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.11
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 300mA
- 功率(Pd) 350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,0.5A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.9V@250uA
- 输入电容(Ciss@Vds) 21pF@25V
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 | 2N7002K 72K | 江苏长电/长晶 (CJ) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA | ¥0.18708 |
| 2N7002（丝印12W） | 时科 (SHIKUES) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA | ¥0.09601 |
| 2N7002-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A | ¥0.1106 |
 | 2N7002KD | 富芯森美 (FUXINSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA | ¥0.21651 |
 | 2N7002T-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW | ¥0.16258 |
2N7002-HXY所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N7002-HXY 由 华轩阳电子 (HXY MOSFET) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7002-HXY价格参考￥0.110599，你可以下载 2N7002-HXY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7002-HXY规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
华轩阳电子是一家持续研发、销售——高效率，高功率密度，高性能的功率器件生产厂家。产品主要是二极管Diode、三极管Transistor，瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制...
