久芯网

品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
SI7868ADP-T1-GE3
SI7868ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.36027

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥58,080.81600

添加到BOM
立即询价
SIHP17N60D-GE3
SIHP17N60D-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 277.8W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.22143

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,221.43400

添加到BOM
立即询价
SQJQ112E-T1_GE3
SQJQ112E-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 296A(Tc) 最大功耗: 600W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.81274

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.81274

添加到BOM
立即询价
SIR638DP-T1-RE3
SIR638DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.40562

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38,433.72600

添加到BOM
立即询价
SIR690DP-T1-RE3
SIR690DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34.4A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.40562

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38,433.72600

添加到BOM
立即询价
IRFIBC40GLCPBF
IRFIBC40GLCPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.46783

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥19,467.82900

添加到BOM
立即询价
IRF840SPBF
IRF840SPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.93438

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.93438

添加到BOM
立即询价
SIHG11N80E-GE3
SIHG11N80E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.49441

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,747.20500

添加到BOM
立即询价
SI4408DY-T1-GE3
SI4408DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.34094

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35,852.35500

添加到BOM
立即询价
SI4862DY-T1-E3
SI4862DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 16伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.34094

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35,852.35500

添加到BOM
立即询价
SQM200N04-1M8_GE3
SQM200N04-1M8_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.40258

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11,522.06320

添加到BOM
立即询价
SIHF35N60EF-GE3
SIHF35N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.09243

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,092.43000

添加到BOM
立即询价
SIHH125N60EF-T1GE3
SIHH125N60EF-T1GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥43.74712

20

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.74712

添加到BOM
立即询价
SIHH28N60E-T1-GE3
SIHH28N60E-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 202W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.41510

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥82,245.30300

添加到BOM
立即询价
SQP120P06-6M7L_GE3
SQP120P06-6M7L_GE3
MOSFET P-CH 60V TO220AB

¥27.59545

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.59545

添加到BOM
立即询价
SIHF16N50C-E3
SIHF16N50C-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.72582

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,725.82100

添加到BOM
立即询价
SIHP28N65EF-GE3
SIHP28N65EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.73777

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,737.77200

添加到BOM
立即询价
SIHB24N65ET1-GE3
SIHB24N65ET1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.17039

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥22,536.31200

添加到BOM
立即询价
SIHB24N65ET5-GE3
SIHB24N65ET5-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.17039

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥22,536.31200

添加到BOM
立即询价
SIHH21N65E-T1-GE3
SIHH21N65E-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.3A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.38311

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥85,149.34200

添加到BOM
立即询价
会员中心 微信客服
客服
回到顶部