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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SQ3460EV-T1_GE3
SQ3460EV-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.51353

0

5-7 工作日

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合计: ¥10,540.59300

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IRF624PBF
IRF624PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.61665

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.61665

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SIHF080N60E-GE3
SIHF080N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥33.02762

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.02762

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SUD09P10-195-GE3
SUD09P10-195-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),32.1W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.59104

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.59104

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SUM50020E-GE3
SUM50020E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.94599

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5-7 工作日

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合计: ¥21.94599

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SQJA66EP-T1_GE3
SQJA66EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.93678

0

5-7 工作日

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合计: ¥10.93678

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IRF9630PBF-BE3
IRF9630PBF-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.45779

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.45779

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SQM40010EL_GE3
SQM40010EL_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.16327

21

5-7 工作日

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合计: ¥22.16327

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SQM40016EM_GE3
SQM40016EM_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.46700

0

5-7 工作日

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合计: ¥23.46700

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SIHB125N60EF-GE3
SIHB125N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥33.38977

0

5-7 工作日

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合计: ¥33.38977

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IRF640STRRPBF
IRF640STRRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、130W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.46700

0

5-7 工作日

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合计: ¥23.46700

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IRFL9110TRPBF-BE3
IRFL9110TRPBF-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.1W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.66347

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.66347

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SIHA125N60EF-GE3
SIHA125N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥33.46220

0

5-7 工作日

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合计: ¥33.46220

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SQM120N06-06_GE3
SQM120N06-06_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.30813

0

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合计: ¥22.30813

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SIR618DP-T1-GE3
SIR618DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.2A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.98562

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥23,913.73800

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IRFS11N50ATRLP
IRFS11N50ATRLP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.30813

0

5-7 工作日

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合计: ¥22.30813

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SIB422EDK-T4-GE3
SIB422EDK-T4-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Ta), 9A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、13W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.53376

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合计: ¥4,601.27100

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IRFS11N50ATRRP
IRFS11N50ATRRP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.30813

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合计: ¥22.30813

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IRF820ALPBF
IRF820ALPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.05123

0

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合计: ¥14.05123

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SI1079X-T1-GE3
SI1079X-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.44A(Ta) 最大功耗: 330mW (Ta) 供应商设备包装: SC-89-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.95092

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合计: ¥5,705.52000

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