SUM50020E-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 21.94598 | 21.94598 |
| 10+ | 19.70793 | 197.07931 |
| 100+ | 16.14949 | 1614.94940 |
| 800+ | 13.74796 | 10998.37280 |
| 1600+ | 12.42287 | 19876.60320 |
- 库存: 0
- 单价: ¥21.94599
-
数量:
- +
- 总计: ¥21.95
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 120A（Tc）
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 最大功耗 375W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 2.2毫欧姆@30A，10V
- 供应商设备包装 TO-263（DPak）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 7.5V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 128 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11150 pF@30 V
SUM50020E-GE3 产品详情
Vishay SUM和SUP ThunderFET TrenchFET MOSFET引入了新的N沟道极性选项，以扩展ThunderFET和TrenchFETIV系列低和中端Vds电压MOSFET。这些MOSFET封装在具有60V、80V和100V Vds电压的TO-220和TO-263封装中。典型应用包括电源、电机驱动开关、DC/DC功率逆变器和转换器、电动工具和电池管理。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | SUM110P06-07L-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥28.9716 |
 | SUM110N10-09-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥29.62346 |
 | SUM70101EL-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥32.15848 |
 | SUM90N10-8M2P-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥33.67949 |
 | SUM110P06-08L-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 272W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥33.75191 |
 | SUM45N25-58-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.04163 |
 | SUM70030M-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥26.79873 |
 | SUMMRNGHT5PC | SUMMER NIGHT 5-PIECE OUTDOOR PAT | ¥0.00 |
SUM50020E-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SUM50020E-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SUM50020E-GE3价格参考￥21.945987，你可以下载 SUM50020E-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SUM50020E-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
