9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUM70101EL-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUM70101EL-GE3价格参考4.44000美元。Vishay Siliconix SUM70101EL-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 100V 120A TO263。您可以下载SUM70101EL-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SUM70040M-GE3是MOSFET N沟道100V（D-S）ThunderFET，包括卷轴封装，它们设计为以0.056438盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-263-7等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作1N信道配置。此外，晶体管类型为N沟道，该器件提供375 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为120 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为76nC，沟道模式为增强。
SUM65P04-15，带有VISHAY制造的用户指南。SUM65P04-15采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
SUM65P06-20，带有VISHAY制造的电路图。SUM65P06-20采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
SUM6K1N，带有SECOS制造的EDA/CAD模型。SUM6K1N采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分。
