9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUM60N02-3M9P-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUM60N02-3M9P-E3参考价格$2.42000。Vishay Siliconix SUM60N02-3M9P-E3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 60A TO263。您可以下载SUM60N02-3M9P-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUM55P06-19L-E3是MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的TO-263（D2Pak），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为3.75W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为3500pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为55A（Tc），最大Id Vgs的Rds为19mOhm@30A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为115nC@10V，Pd功耗为3.75W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为230 ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为55A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为19mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型导通延迟时间为12ns，沟道模式为增强型。
SUM55N03-16P-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SUM55N03-16P-E3采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
SUM55P06-19L是VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3引脚（2+Tab）D2PAK。SUM55P06-19L在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3引脚（2+Tab）D2PAK。
