9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUM45N25-58-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUM45N25-58-E3参考价格$4.70000。Vishay Siliconix SUM45N25-58-E3封装/规格：MOSFET N-CH 250V 45A TO263。您可以下载SUM45N25-58-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SUM40N15-38-E3是MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SUM40N14-38的零件别名，其提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-263（D2Pak），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.75W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为2500pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为38mOhm@15A、10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为60nC@10V，Pd功耗为3.75W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为130 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds漏极源极电阻为38 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为10S，信道模式为增强。
SUM40N15-38-T5-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SUM40N15-38-T5-E3采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
SUM45N25-52，带有VISHAY制造的电路图。SUM45N25-52采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
