9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUM110P06-07L-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUM110P06-07L-E3参考价格$4.0000。Vishay Siliconix SUM110P06-07L-E3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 110A TO263。您可以下载SUM110P06-07L-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SUM110P04-05-E3是MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的TO-263（D2Pak），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为375W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为11300pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为110A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为5mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为280nC@10V，Pd功耗为15W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为290ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为39A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Rds导通漏极-漏极电阻为5mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型导通延迟时间为25ns，沟道模式为增强型。
SUM110P04-05，带有VISHAY制造的用户指南。SUM110P04-05在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
SUM110P06-07L是VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3引脚（2+Tab）D2PAK。SUM110P06-07L在TO-263-2封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3引脚（2+Tab）D2PAK。
