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品牌介绍

乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司,是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年,合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元,已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线,产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天,达到世界先进水平;品质达到并超过六个西格玛标准;市场需求量超越产量,达到零库存目标;超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。

英文全称: LRC

中文全称: 乐山无线电

英文简称: LRC

品牌地址: http://www.lrc.cn/

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品牌型号
描述
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操作
S-LBAS21HT1G
S-LBAS21HT1G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V@200mA 反向恢复时间(trr):50ns

¥0.13774

2500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13774

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S-L1SS355T1G
S-L1SS355T1G
暂无

¥0.16386

2300

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16386

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LBAS116LT1G
LBAS116LT1G
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):85V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):3us

¥0.13592

2720

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13592

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LMBD2836LT1G
LMBD2836LT1G
二极管配置:1对共阴极 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.12243

200

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12243

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S-LBAS21LT1G
S-LBAS21LT1G
暂无

¥0.10068

10246

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10068

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LDAN202KLT1G
LDAN202KLT1G
二极管配置:1对共阴极 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.15526

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15526

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LBAS16WT1G
LBAS16WT1G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.08619

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08619

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LBAV70TT1G
LBAV70TT1G
直流反向耐压(Vr):70V 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.17131

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17131

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LM1MA142WAT1G
LM1MA142WAT1G
二极管配置:1对共阴极 功率:150mW 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V 反向恢复时间(trr):10ns

¥0.22529

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22529

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LMDL6050T1G
LMDL6050T1G
直流反向耐压(Vr):70V 正向压降(Vf):1.1V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.17131

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17131

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LDAN202UT1G
LDAN202UT1G
直流反向耐压(Vr):80V 正向压降(Vf):1.2V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.21825

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21825

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LDAN222T1G
LDAN222T1G
直流反向耐压(Vr):100V 正向压降(Vf):1.2V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.21825

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21825

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S-LBAS16HT1G
S-LBAS16HT1G
暂无

¥0.17592

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17592

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L1SS356T1G
L1SS356T1G
直流反向耐压(Vr):35V 正向压降(Vf):1V

¥0.18774

2740

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18774

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S-LMDL914T1G
S-LMDL914T1G
暂无

¥0.19092

2820

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19092

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LBAS21CLT1G
LBAS21CLT1G
二极管配置:1对共阴极 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):50ns

¥0.16638

2100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16638

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LBAW56WT1G
LBAW56WT1G
二极管配置:1对共阴极 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.13630

780

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13630

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L1SS184LT1G
L1SS184LT1G
二极管配置:1对共阴极 功率:150mW 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.07750

15000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07750

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S-LBAV99LT1G
S-LBAV99LT1G
二极管配置:1对串联式 功率:225mW 直流反向耐压(Vr):85V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.11595

1250

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11595

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LBAV74LT1G
LBAV74LT1G
二极管配置:1对共阴极 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.10973

350

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10973

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