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品牌介绍

乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司,是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年,合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元,已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线,产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天,达到世界先进水平;品质达到并超过六个西格玛标准;市场需求量超越产量,达到零库存目标;超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。

英文全称: LRC

中文全称: 乐山无线电

英文简称: LRC

品牌地址: http://www.lrc.cn/

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品牌型号
描述
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操作
LBAS16BST5G
LBAS16BST5G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):715mV 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.22053

19660

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22053

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LMBD914LT1G
LMBD914LT1G
二极管配置:独立式 功率:225mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.06374

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06374

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LBAV199LT1G
LBAV199LT1G
二极管配置:1对串联式 功率:150mW 直流反向耐压(Vr):85V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):3us

¥0.14634

4420

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14634

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LBAS16LT1G
LBAS16LT1G
二极管配置:独立式 功率:225mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.06736

1900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06736

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LBAS516T1G
LBAS516T1G
二极管配置:独立式 功率:500mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):715mV 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.11330

4050

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11330

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L1SS226LT1G
L1SS226LT1G
二极管配置:1对串联式 功率:150mW 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.11901

3900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11901

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LMBD6100LT1G
LMBD6100LT1G
二极管配置:1对共阴极 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.1V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.11799

4400

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11799

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LBAV21T1G
LBAV21T1G
二极管配置:独立式 功率:250mW 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):50ns

¥0.10937

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10937

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L1SS355T1G
L1SS355T1G
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.06012

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06012

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LBAS21LT1G
LBAS21LT1G
二极管配置:独立式 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):50ns

¥0.12240

5950

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12240

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L1SS400GT1G
L1SS400GT1G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.12748

12000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12748

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LBAS20HT1G
LBAS20HT1G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):50ns

¥0.20892

5860

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.20892

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LBAV170LT1G
LBAV170LT1G
二极管配置:1对共阴极 功率:150mW 直流反向耐压(Vr):85V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):3us

¥0.12968

3580

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12968

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LBAV70WT1G
LBAV70WT1G
二极管配置:1对共阴极 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.08909

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08909

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L1SS400CST5G
L1SS400CST5G
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.17590

5920

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17590

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LBAS21SLT1G
LBAS21SLT1G
二极管配置:1对串联式 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):50ns

¥0.16164

2100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16164

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LMBD3004SLT1G
LMBD3004SLT1G
二极管配置:1对串联式 功率:280mW 直流反向耐压(Vr):350V 平均整流电流(Io):225mA 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):50ns

¥0.14486

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14486

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LBAS316T1G
LBAS316T1G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):715mV 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.16360

1400

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16360

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S-L1N4148WT1G
S-L1N4148WT1G
二极管配置:独立式 功率:425mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.13046

2000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13046

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S-L1SS400T1G
S-L1SS400T1G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V@200mA 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.12252

1720

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12252

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