品牌介绍
乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司，是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年，合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元，已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线，产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天，达到世界先进水平；品质达到并超过六个西格玛标准；市场需求量超越产量，达到零库存目标；超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.04636 | 333781 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.04636 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：225mW | ¥0.06374 | 2970 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06374 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V | ¥0.07171 | 21587 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07171 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：150V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@10mA,5V | ¥0.06229 | 6942 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06229 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V | ¥0.07605 | 23959 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07605 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V | ¥0.07098 | 2390 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07098 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：290@2mA,5V | ¥0.06881 | 2055 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06881 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：20V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：225mW | ¥0.10338 | 5000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10338 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：500mA | ¥0.12675 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12675 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：225mW | ¥0.10070 | 31950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10070 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个NPN和1个PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：380mW | ¥0.18940 | 27580 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18940 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V | ¥0.07098 | 1875 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07098 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：225mW | ¥0.06012 | 6661 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06012 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：290@2mA,5V | ¥0.09254 | 18400 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09254 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V | ¥0.08185 | 20880 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.08185 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@100mA,1V | ¥0.15473 | 4600 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15473 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个NPN和1个PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V | ¥0.11734 | 870 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11734 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V | ¥0.06374 | 11369 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06374 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：290@2mA,5V | ¥0.06881 | 6470 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06881 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA | ¥0.12549 | 11860 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12549 | 立即购买 加入购物车 |