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品牌介绍

乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司,是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年,合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元,已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线,产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天,达到世界先进水平;品质达到并超过六个西格玛标准;市场需求量超越产量,达到零库存目标;超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。

英文全称: LRC

中文全称: 乐山无线电

英文简称: LRC

品牌地址: http://www.lrc.cn/

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品牌型号
描述
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操作
SOD4007T-SH
SOD4007T-SH
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V

¥0.18434

1360

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18434

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SOD4004-SH
SOD4004-SH
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V

¥0.08619

14685

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08619

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FM404
FM404
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V

¥0.15138

54

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15138

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HFMAF109
HFMAF109
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1.2kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.85V

¥0.13906

11000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13906

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LUR460
LUR460
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):4A 正向压降(Vf):1.5V

¥0.89419

375

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.89419

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LBAV99LT1G
LBAV99LT1G
二极管配置:1对串联式 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.06881

20222

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06881

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L1N4148WT1G
L1N4148WT1G
二极管配置:独立式 功率:425mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.06446

42287

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06446

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LBAV70LT1G
LBAV70LT1G
二极管配置:1对共阴极 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.06446

1791

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06446

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LBAS21HT1G
LBAS21HT1G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):50ns

¥0.07822

16828

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07822

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LBAW56LT1G
LBAW56LT1G
二极管配置:1对共阳极 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.06881

4894

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06881

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L1SS400T1G
L1SS400T1G
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.10546

3400

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10546

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LBAS16HT1G
LBAS16HT1G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):1.25V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.06881

29285

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06881

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LMBD7000LT1G
LMBD7000LT1G
二极管配置:1对串联式 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.1V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.05722

248781

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.05722

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LBAV99WT1G
LBAV99WT1G
二极管配置:1对串联式 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.08474

2982

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08474

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LMDL914T1G
LMDL914T1G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.05794

87000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.05794

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LBAS16BST5G
LBAS16BST5G
二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):715mV 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.22053

19660

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22053

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LMBD914LT1G
LMBD914LT1G
二极管配置:独立式 功率:225mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.06374

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06374

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LBAV199LT1G
LBAV199LT1G
二极管配置:1对串联式 功率:150mW 直流反向耐压(Vr):85V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):3us

¥0.14634

4420

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14634

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LBAS16LT1G
LBAS16LT1G
二极管配置:独立式 功率:225mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V 反向恢复时间(trr):6ns

¥0.06736

1900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06736

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LBAS516T1G
LBAS516T1G
二极管配置:独立式 功率:500mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):715mV 反向恢复时间(trr):4ns

¥0.11330

4050

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11330

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