IC-Sift为您提供3M公司设计生产的SPD08-020-RA-TR，在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。SPD08-020-RA-TR参考价格为26.73998美元。3M SPD08-020-RA-TR封装/规格：3M高速卡边缘连接器。您可以下载SPD08-020-RA-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPD07N60C3是MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了零件别名，用于SP000313947 SPD07N60C3BTMA1 SPD07N60A0C3XT，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装方式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该设备也可以用作TO-252-3封装盒。此外，该技术是Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为3.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型导通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
SPD07N60C3ATMA1带有用户指南，其中包括CoolMOS商品名，它们被设计为使用Si技术操作，数据表注释中显示了零件别名，用于SP001117774 SPD07N60C3，该产品提供卷轴等包装功能，包装箱被设计为在to-252-3中工作。
SPD07N60S5是INF制造的MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK。SPD07N60X5有TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK、N沟道600V 7.3A（Tc）83W（Tc）表面安装PG-TO252-3。
