9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZQ5241B-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TZQ5241B-GS18参考价格$0.03142。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZQ5241B-GS18封装/规格：DIODE ZENER 11V 500MW SOD80。您可以下载TZQ5241B-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TZQ5241B-GS08是DIODE ZENER 11V 500MW SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001827盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，高度设计为1.6 mm，长度为3.7 mm，该装置也可以用作1.6mm宽。此外，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备封装为SOD-80QuadroMELF，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为11V，阻抗最大Zzt为22欧姆，电流反向泄漏Vr为2μA@8.4V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为11 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.076%/K，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为22欧姆，Ir反向电流为2uA。
TZQ5240B-GS08是DIODE ZENER 10V 500MW SOD80，包括17欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于20 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如10 V，电压齐纳标称Vz设计用于10V，以及5%电压容差，该器件也可以用作0.075%/K电压温度系数。此外，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，装置的单位重量为0.001827盎司，装置的公差为±5%，供应商装置包装为SOD-80 QuadroMELF，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-80Variant，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.7 mm，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大Zzt为17 Ohm，高度为1.6 mm，电流反向泄漏Vr为3μA@8V，配置为单一。
TZQ5240B-GS18是DIODE ZENER 10V 500MW SOD80，包括单一配置，设计用于在3μa@8V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.6 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如17 Ohm，Ir反向电流设计用于3μa，长度为3.7 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为表面安装安装型，该设备具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-65℃~175℃，包装箱为SOD-80变体，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备封装为SOD-80 QuadroMELF，公差为±5%，单位重量为0.001827 oz，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压温度系数为0.075%/K，电压容限为5%，电压齐纳标称Vz为10V，Vz齐纳电压为10V，宽度为1.6mm，Zz齐纳阻抗为17欧姆。
