9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZQ5240B-GS08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TZQ5240B-GS08参考价格为0.24000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZQ5240B-GS08封装/规格：DIODE ZENER 10V 500MW SOD80。您可以下载TZQ5240B-GS08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TZQ5239B-GS08是DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001827盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，高度设计为1.6毫米，长度为3.7毫米，该装置也可以用作1.6mm宽。此外，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备封装为SOD-80QuadroMELF，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大Zzt为10欧姆，电流反向泄漏Vr为3μA@7V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.068%/K，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为3uA。
TZQ5238B-GS18是DIODE ZENER 8.7V 500MW SOD80，包括8欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.6 mm，数据表中显示了用于8.7 V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如8.7V，电压容差设计工作在5%，以及0.065%/K电压温度系数，该设备也可作为1.5V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.001827盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有SOD-80 QuadroMELF供应商设备包，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.7 mm，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大Zzt为8 Ohm，高度为1.6 mm，电流反向泄漏Vr为3μA@6.5V，配置为单一。
TZQ5239B-GS18是DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD80，包括单一配置，设计用于在3μa@7V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.6 mm，提供阻抗最大Zzt功能，如10欧姆，Ir反向电流设计用于3μa，长度为3.7 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为表面安装安装型，该设备具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-65℃~175℃，包装箱为SOD-80变体，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备封装为SOD-80 QuadroMELF，公差为±5%，单位重量为0.001827 oz，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压温度系数为0.068%/K，电压容限为5%，电压齐纳标称Vz为9.1V，Vz齐纳电压为9.1V，宽度为1.6mm，Zz齐纳阻抗为10欧姆。
