9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZX30C-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TZX30C-TAP参考价格为0.02574美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZX30C-TAP封装/规格：DIODE ZENER 30V 500MW DO35。您可以下载TZX30C-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TZX30A-TR是DIODE ZENER 30V 500MW DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于小型信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004833盎司，安装样式设计用于通孔，以及1.7 mm高度，该装置也可以用作3.9mm长度。此外，宽度为1.7 mm，该设备采用DO-204AH、DO-35轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单一，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为30V，阻抗最大Zzt为100欧姆，电流反向泄漏Vr为1μA@23V，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为30 V，电压容差为10%，齐纳电流为2 mA，Zz齐纳阻抗为100欧姆，Ir反向电流为1uA。
TZX30B-TR是DIODE ZENER 30V 500MW DO35，包括100欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于2 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供Vz齐纳电压特性，如30 V，电压齐纳标称Vz设计用于30 V，以及5%电压容差，该设备也可以用作1.5V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.004833盎司，该设备采用DO-35供应商设备包，该设备具有汽车AEC-Q101系列，产品为小信号齐纳二极管，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围是-65°C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大Zzt为100 Ohm，高度为1.7mm，电流反向泄漏Vr为1μA@23V，配置为单一。
TZX30B-TAP是DIODE ZENER 30V 500MW DO35，包括1μA@23V电流反向泄漏Vr，设计用于100 Ohm阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向、，除了磁带盒（TB）替代包装包装外，该设备还可以用作500mW最大功率。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备在DO-35供应商设备包中提供，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为30V。
