9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZX33A-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TZX33A-TAP参考价格为0.02574美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZX33A-TAP封装/规格：DIODE ZENER 33V 500MW DO35。您可以下载TZX33A-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TZX30C-TR是DIODE ZENER 30V 500MW DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于小型信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004833盎司，安装样式设计用于通孔，以及1.7 mm高度，该装置也可以用作3.9mm长度。此外，宽度为1.7 mm，该设备采用DO-204AH、DO-35轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单一，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为30V，阻抗最大Zzt为100欧姆，电流反向泄漏Vr为1μA@23V，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为30 V，电压容差为2%，齐纳电流为2 mA，Zz齐纳阻抗为100欧姆，Ir反向电流为1uA。
TZX30C-TAP是DIODE ZENER 30V 500MW DO35，包括100欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在1.7毫米宽的情况下工作，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于30 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如30V，电压容差设计为工作在2%，以及1.5V@200mA电压正向Vf Max If，该装置也可以用作0.004833盎司单位重量。此外，供应商设备包装为DO-35，该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW；包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为3.9 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大值Zzt为100欧姆，高度为1.7 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@23V，配置为单一。
TZX30X-TAP是DIODE ZENER 30V 500MW DO35，包括单配置，设计用于在1μa@23V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供阻抗最大Zzt功能，例如100欧姆，Ir反向电流设计用于1μa，以及3.9 mm长度，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，工作温度范围在-65℃~175℃，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，包装为磁带盒（TB），Pd功耗为500 mW，最大功率为500mW，系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备包为DO-35，单位重量为0.004833 oz，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压容差为3%，电压齐纳标称Vz为30V，Vz齐纳电压为29.765 V，宽度为1.7 mm，Zz齐纳阻抗为100欧姆。
