9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GDZ11B-G3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GDZ11B-G3-18参考价格$0.04619。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GDZ11B-G3-18封装/规格：DIODE ZENER 11V 200MW SOD323。您可以下载GDZ11B-G3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GDZ11B-G3-08带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品。数据表注释中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，该包装提供零件别名功能，如GDZ11B-V-G-08，单位重量设计为0.000141盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可作为SC-76、SOD-323封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-323，配置为单一，容差为±4%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为11V，阻抗最大Zzt为30欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@8V，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为11 V，Zz齐纳阻抗为30欧姆，Ir反向电流为100 nA。
带有用户指南的GDZ11B-G3-18，包括30欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于11 V Vz齐纳电压，电压齐纳标称Vz如数据表注释所示，用于11 V，提供0.000141盎司等单位重量功能，公差设计为±4%，以及SOD-323供应商设备包，该设备也可用于汽车、AEC-Q101系列。此外，该产品为小信号齐纳二极管，该器件的最大功率为200mW，该器件具有200mW的Pd功耗，零件别名为GDZ11B-V-G-18，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装盒为SC-76、SOD-323，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大值Zzt为30 Ohm，反向电流Vr为100nA@8V，配置为单一。
带有电路图的GDZ11B-E3-18，包括单配置，它们设计为在100nA@8V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于30欧姆，提供Ir反向电流特性，如100nA，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有SC-76、SOD-323封装盒，封装为胶带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车、AEC-Q101，供应商器件封装为SOD-323，公差为±4%，单位重量为0.000152盎司，电压齐纳标称Vz为11V，Vz齐纳电压为11 V，Zz齐纳阻抗为30欧姆。
GDZ11B-GS08，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。GDZ11B-GS08采用SOD323封装，是IC芯片的一部分。
