9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GDZ12B-G3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GDZ12B-G3-18参考价格$0.04619。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GDZ12B-G3-18封装/规格：DIODE ZENER 12V 200MW SOD323。您可以下载GDZ12B-G3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GDZ11B-HE3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000152盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SC-76、SOD-323包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-323供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±4%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为11V，最大阻抗Zzt为30欧姆，反向电流泄漏Vr为100nA@8V，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为11 V，Zz齐纳阻抗为30欧姆，Ir反向电流为100 nA。
GDZ11B-HG3-08带有用户指南，其中包括11V电压齐纳标称Vz，它们设计为在±2%的公差下运行。数据表说明中显示了SOD-323中使用的供应商设备包，该设备提供了汽车、AEC-Q101、功率最大设计为200mW的系列功能，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，SOD-323封装外壳，其工作温度范围为-65°C~150°C，该设备为表面安装安装型，该设备的阻抗最大值为30欧姆Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@8V。
带有电路图的GDZ11B-HG3-18，包括100nA@8V电流反向泄漏Vr，它们设计为在30欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计为在SC-76、SOD-323以及磁带和卷轴（TR）替代包装中工作，该设备也可作为200mW最大功率使用。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备在SOD-323供应商设备包中提供，该设备具有±2%的容差，电压齐纳标称Vz为11V。
GDZ12B，带有ITT制造的EDA/CAD模型。GDZ12B采用SOD-323封装，是二极管-齐纳-单体的一部分。
