9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的FES1DE，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FES1DE参考价格为0.38000美元。Diodes Incorporated FES1DE封装/规格：FRED GPP整流器DO-219AA T&R。您可以下载FES1DE英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ES1DAF带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表备注中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供SMD/SMT等安装方式功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及DO-214AD、SMAF包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AD（SMAF），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为34ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为950 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为35ns。
ES1D-13-F是DIODE GEN PURP 200V 1A SMA，包括200 V Vr反向电压，它们设计为以920mV@1A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于200V的电压直流反向Vr Max，提供920 mV等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.002258盎司，以及SMA供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为ES1D，该器件提供25ns反向恢复时间trr，该器件具有25ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
ES1DB，带有LITEON制造的电路图。ES1DB采用SMB/DO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
ES1DB-13-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。ES1DB-13-F采用DO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
