9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1PJ-E3/85A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1PJ-E3/85A参考价格为0.234美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1PJ-E3/85A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA。您可以下载S1PJ-E3/85A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1PG-M3/84A是DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供部件别名功能，如S1PG-M3/185A，单位重量设计为0.000847盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作DO-220AA包装盒。此外，安装类型为表面安装，设备在DO-220AA（SMP）供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@400V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为6pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为50uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为1.8us。
S1PG-M3/85A是DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在400V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及1.8μs的反向恢复时间trr，该设备也可以用作S1PG-M3/84A部件别名。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备采用DO-220AA包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为6pF@4V，1MHz。
S1PGHM3/85A是DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA，包括6pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供1.8μs反向恢复时间trr，该设备具有系列eSMPR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为DO-220AA（SMP），电压直流反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
