9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1PJHE3/85A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1PJHE3/85A参考价格为0.262美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1PJHE3/85A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA。您可以下载S1PJHE3/85A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1PG-M3/85A是DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于S1PG-M3/184A的零件别名，该产品提供DO-220AA等包装箱功能，安装类型设计用于表面安装，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供1μA@400V电流反向泄漏Vr，该器件的电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为6pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S1PJ-E3/85A是DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了1.8μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为6pF@4V，1MHz。
S1PJHE3/84A是二极管GEN PURP 600V 1A DO220AA，包括6pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供1.8μs反向恢复时间trr，设备具有系列eSMPR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为DO-220AA（SMP），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.1V@1A。
