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P3M173K0T3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 最大功耗: 75W 供应商设备包装: TO-220-2L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: PN Junction半导体公司 (PN Junction)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 300
  • 单价: ¥45.55784
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥45.56
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 制造厂商 PN Junction半导体公司 (PN Junction)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 供应商设备包装 TO-220-2L
  • 包装/外壳 至220-2
  • 漏源电压标 (Vdss) 1700伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +19伏、-8伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V @ 0.6毫安(Typ)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.6欧姆 @ 0.6A, 15V
  • 最大功耗 75W

P3M173K0T3 产品详情

P3M173K0T3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),P3M173K0T3 由 PN Junction半导体公司 (PN Junction) 设计生产,可通过久芯网进行购买。P3M173K0T3价格参考¥45.557841,你可以下载 P3M173K0T3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询P3M173K0T3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

PN Junction半导体公司 (PN Junction)

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