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FQA8N90C-F109

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 240W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 169

  • 库存: 900
  • 单价: ¥12.89236
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,178.81
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 上次购买
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 漏源电压标 (Vdss) 900 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-3PN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.9欧姆@4A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2080 pF@25 V
  • 最大功耗 240W(Tc)

FQA8N90C-F109 产品详情

FQA8N90C-F109所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQA8N90C-F109 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQA8N90C-F109价格参考¥12.892362,你可以下载 FQA8N90C-F109中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQA8N90C-F109规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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