特色
- 62A，250VRDS（开）=35mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=31A
- 低栅极电荷（典型值100nC）
- 低铬（典型值63.5pF）
- 100%雪崩测试
应用
- 其他音频和视频
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器
FQA62N25C
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 51.13487 | 51.13487 |
| 10+ | 46.20970 | 462.09702 |
| 100+ | 38.25917 | 3825.91710 |
| 500+ | 34.19489 | 17097.44500 |
- 库存: 443
- 单价: ¥51.13487
-
数量:
- +
- 总计: ¥51.13
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 宽（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 130 nC@10 V
- 最大功耗 298W（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 250伏
- 供应商设备包装 TO-3PN
- 包装/外壳 至3P-3，SC-65-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 62A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 35毫欧姆 @ 31A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6280 pF @ 25 V
FQA62N25C 产品详情
该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
FQA62N25C 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQA020ADC-N07-M | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -55摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,461.25508 |
 | FQA020ADC-007-S | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -40摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,022.76991 |
 | FQA020ADC-N07-S | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -40摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,005.02966 |
 | FQA020ADC-007-M | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -55摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,435.76492 |
 | FQA70N10 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 214W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.38056 |
 | FQAF11N90C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.4598 |
| FQA62N25C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.13487 |
 | FQA11N90C-F109 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.63146 |
 | FQA90N15 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.48301 |
 | FQA8N90C-F109 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 |
FQA62N25C所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQA62N25C 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQA62N25C价格参考￥51.134874，你可以下载 FQA62N25C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQA62N25C规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
