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IPB407N30NATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥13.39937
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.40
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 87 nC @ 10 V
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 270A
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 300伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 44A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 40.7毫欧姆 @ 44A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7180 pF @ 100 V
  • 供应商设备包装 PG-TO263-3

IPB407N30NATMA1 产品详情

光学MOS™ 300V MOSFET结合了快速二极管技术,特别针对体二极管硬换向进行了优化。这些器件不仅表现出令人印象深刻的通态电阻(RDS(on))和品质因数(FOM),而且通过市场上最低的反向恢复电荷(Q rr)提供了高系统可靠性。使用300V OptiMOS™ 英飞凌在电信、不间断电源(UPS)、工业电源、DC-AC逆变器和电机控制等硬开关应用领域带来了新的性能水平。

特色

  • 快速二极管技术
  • FOM低于58%的行业最佳R DS
  • 硬换向强度
  • 优化的硬切换行为
  • 最高的效率和功率密度
  • 板空间和系统成本降低
  • 系统可靠性高
  • 最佳切换性能
  • 易于设计的产品

应用

  • 电信
  • 不间断电源
  • 工业电源
  • 逆变器
  • 48-110V系统的电机控制

  

IPB407N30NATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB407N30NATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB407N30NATMA1价格参考¥13.399365,你可以下载 IPB407N30NATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB407N30NATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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